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        和星儿研究透这个时代光刻机的构造后，他决定还是要重新优化设计，借鉴未来几十年的类似设备资料，他依然运用了一贯倡导的集成、一体化设计理念，将零配件、元器件减少到了约万个。

        经过虚拟实验平台验证后，可靠性、稳定性及成品率要比目前市面上供应的光刻机高以上。

        但零部件的生产难度大幅度增加，至少其中有个零部件和元器件，在京城、蓉城和鹭岛三家精密仪器厂都无法加工。只能在马由的私人实验室用智能生产线制造。

        马由在研究光刻机技术指标时，先确定了对外销售芯片的三个原则

        其一、芯片的制程永远落后蓝星自产品用芯片版本代以上；

        其二、其他国家的芯片技术即将追赶上对外销售的芯片技术，就即刻升级技术；

        其三、参照摩尔定律更新换代时间，提前准备提升芯片制程。

        确保蓝星在半导体核心加工技术方面，永远领先其他国家。

        但马由制定的领先能力必须要有一个度，保持领先-代，甚至有时候让他们有即刻赶超的可能，而不是让他们恼羞成怒、挥舞反垄断大旗对蓝星集团进行制裁。同时也要用这样的领先姿态，淘汰绝大部分芯片企业。

        定下这些原则后，马由基于目前国际芯片生产能力，制定了光刻机的制程工艺标准。即明年新的生产线面世后，pu的制程起步就要达到纳米，即年后，年英特尔公司发布的奔腾（微米，万个晶体管）的水准。并要求能有升级空间，比如能升级到纳米。这样能再度维持领先-年。当然不排除提前推出euv光刻机的可能。

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